EBガンでは従来コントロール出来なかった高精度の膜厚制御が可能です。
装置取付ポートがICF114の時、シャッター無ICF70サイズのKセルにシャッター機構を付加することが出来ます。
1つセルポートで2つの材料を使用できます。
蒸発源を横置きしたい場合に適しています。
分析装置などに最適な超小型Kセルです。
1つのポートで、固体原料とガス原料を供給できる蒸発源です。
原料を急速昇降温法で蒸発・昇華させ、分子線を発生させます。
導入された各種ガス原料より分子線を発生させます。
特別に原料ビームを絞って使用したい場合に適しています。
高融点金属の蒸発源として最適な高温Kセルです。2000℃までの加熱が可能です。
