MBE/MOCVD TECHNOLOGY
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SiC用超高温プロセス炉
特長
6インチまで対応
高温成長可能(MAX.2200℃)
急速昇温可能(1000℃→2000℃まで1分以内)
カーボンフリー
超高真空仕様(極低リークレート)
完全自動化(プロセス、搬送)
仕様
均熱領域
最高加熱温度
到達圧力
チャンバ構成
・・・ 160mmΦ×65mmH
・・・ MAX.2200℃
・・・ 6.6×10
-7
Pa
・・・ 2チャンバ構成(加熱室、導入室)
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